微电子学和固态电子学是干什么用的？
研究方向简介
信息光电子学和光通信
研究内容:高效半导体激光器、高效高亮度发光管和具有全新物理思想和创新器件结构的新型中远红外探测器，光通信、光电信号和图像处理研究，光电检测和控制等激光、发光、红外电子信息技术和应用系统研究。这个方向有项目博士后流动站。
超高速微电子和高速通信技术
该方向主要研究具有全新物理思想和结构的异质结超高频(高速)器件和超高频(高速)电路，特别是超高频低噪声SiGe/Si HBT、集成电路、光通信、移动通信和高速计算相关电路和通信应用系统，具有极其重要的科学价值和广阔的应用前景。
功率半导体器件和功率集成电路
这个方向包括两个方面:电力电子器件和智能功率集成电路，微波功率半导体器件和微波集成电路。简要介绍如下:
电力电子器件和智能电力集成电路研究的根本目的是转换和控制电能，其应用已经渗透到通信、机电一体化等各个领域。我们实验室从事世界前沿的研究工作，提出了许多具有国际创新思想的新型器件结构和工作原理，如新结构超高速双极功率开关、新结构超低损耗IGBT、新结构高速集成电路等。
微波功率半导体器件和微波集成电路的研究是微波通信、雷达和各种军事电子对抗等微波设备和系统的核心。我们实验室从事具有国际创新结构的新器件和集成电路的研究。
半导体器件可靠性
该方向从事微电子器件(各种类型的分立半导体器件、集成电路和模块)的可靠性物理研究。可靠性被列为四大技术之一，是目前世界上最活跃的研发领域。目前的研究方向主要包括四个方向:
VLSI/ULSI互连技术及可靠性研究:随着电路的高密度和高速化，互连技术已成为VLSI/ULSI继续发展的瓶颈。我们实验室在这一领域处于国际研究的前沿。
高速微电子器件和MMIC的可靠性研究:主要研究GaAs基和Si/SiGe HBT高速器件和MMIC的可靠性及评估技术。
GaN宽带隙半导体器件可靠性及评估技术:重点研究宽带隙半导体材料、器件及相关可靠性问题。
半导体热测量、热失效分析和热设计:主要研究各种功率半导体器件、集成电路和光电器件、各种热测量技术(nm级区域)、热失效分析和热设计。我们实验室在这一领域的国际研究工作中处于领先地位。
现代集成模块与系统集成技术
这个方向包括两个研究内容。一是研究以IGBT(绝缘栅双极晶体管)和MCM(多芯片组件)为代表的现代集成模块和元器件:工作原理、设计制造方法、封装热应力设计、应用和可靠性、系统测试方法和仿真设计；二是学习半定制ASIC设计和现代系统集成技术。