跪求天津大学微电子与固体电子学综合2011研究生复试大纲。

第一部分:半导体集成电路复试概述(供参加微电子复试的考生参考)

一，考试的总体要求

《半导体集成电路》是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括“晶体管原理”和“半导体集成电路”。目的是考察考生的基础理论、知识、技能和分析问题、解决问题的能力。

二、考试内容和比例

(一)晶体管原理(30%)

1 pn结

形成(1)PN接触电位差VBJ；

(2)理想和实际二极管电流-电压方程，以及非平衡清除电流随电压变化的规律。

(3)PN结的击穿机制。

2.双极晶体管的DC特性

(1)晶体管中的电流转移

(2)晶体管电流增益

3.晶体管频率特性和瞬态特性

(1)晶体管交流特性的理论分析

掌握混合模型和参数的含义。

(2)***发射极短路电流放大系数及其截止频率

(3)晶体管的开关时间

4.金属氧化物半导体场效应晶体管

(1)MOS场效应晶体管的基本工作原理和类型。

(1)MOSFET阈值电压的定义和表达式及VBS的影响

(2)MOSFET的伏安特性

能够解释输出特性曲线，了解萨之唐方程的求解过程和应用范围；了解MOSFET的击穿机理。

(3)短沟道效应的定义和影响。

(2)半导体集成电路(70%)

1.集成电路中的晶体管及其寄生效应

(1)集成双极晶体管的有源寄生效应

(2)集成电路中的PNP晶体管

(3)肖特基势垒二极管和肖特基箝位晶体管

2.晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路

(1)TTL与非门，

(2)STTL赛道

3.发射极耦合逻辑(ECL)电路的工作原理。

4.MOS反相器及其基本逻辑单元

(1)7.2 E/D反相器

(2)7.3 CMOS反相器

(3)7.5动态逆变器

(4)8.1 NMOS逻辑结构

(5)8.2 CMOS逻辑结构

(6)8.4影响门的电气和物理结构设计的因素

(7)8.6传输门逻辑

(8)9.4登记

5.模拟集成电路中的基本单元

(1)12.1.2 MOS晶体管放大器

(2)12.2恒流源电路

(3)12.3偏置电压源和参考电压源电路

6.集成运算放大器

(1)13.1运算放大器的输入级

(2)13.2运算放大器的输出级电路

(3)13.3.1 741通用集成运算放大器。

(4)13.4.4 CMOS集成运算放大器

第三，试卷的种类和比例

1，简答:30%

2.论文:45%

3.计算和综合题:20%

4.设计问题:5%

动词 （verb的缩写）主要参考资料

1.《微电子技术基础-双极和场效应晶体管原理》，曹，主编，电子工业出版社或《晶体管原理》，张平英，周，主编，上海科学技术出版社。