哈工大微电子学和固体电子学复试怎么样？参考书目是什么？

研究生招生复试指导

根据教育部关于加强研究生招生复试工作的指导意见和学校有关要求，现对微电子与固体电子与集成电路工程2012研究生招生复试指导意见确定如下。

一、复试的比例和主要内容

1.复试由笔试和面试两部分组成，外语听力测试在面试中进行。复试总分为280分，其中笔试200分，面试80分。

2、复试笔试科目

(1)电子电路(数字和模拟)，占70分。

主要内容:半导体二极管及其基本电路；半导体三极管及其放大电路基础；场效应放大器电路；集成电路运算放大器；反馈放大器电路；信号运算与处理电路；信号产生电路；DC稳压电源；逻辑门电路；组合逻辑电路的分析与设计:常见的组合逻辑功能器件:触发器；时序逻辑电路的分析与设计:普通时序逻辑功能器件。

参考书目:1。基础电子技术，蔡惟铮主编，高等教育出版社，2004年8月，1版。

2.《集成电子技术》，蔡惟铮主编，高等教育出版社，2004年7月，1版。

(2)晶体管原理，占70分。

主要内容:pn结的DC特性、空间电荷区和电容、pn结击穿；双极晶体管的基本结构和工作原理，DC特性、频率特性、开关特性和功率特性的物理基础；场效应晶体管(包括结型和MOS场效应晶体管)的基本结构、工作原理、DC特性、频率特性、开关特性和功率特性；MOS场效应晶体管的阈值电压、短沟道和窄沟道效应及击穿特性。

参考书目:1。《双极和场效应晶体管》，吴，主编，电子工业出版社，1995。

2.微电子学基础――双极和场效应晶体管原理，曹，主编，电子工业出版社，第一版2001。

(3)半导体集成电路，占60分。

主要内容:典型集成电路制造工艺流程及原理(双极工艺和MOS工艺)；集成电路中常用的器件结构及其寄生效应；双极逻辑集成电路(TTL和单管逻辑门)的工作原理、静态特性、瞬态特性和版图设计；MOS逻辑集成电路(NMOS、CMOS、MOS动态电路)的工作原理、静态特性、瞬态特性和版图设计；各种MOS存储器的结构和特性；模拟集成电路中常见单元电路的结构、工作原理、性能和版图设计特点。

参考书目:集成电路设计，叶以正、常峰主编，清华大学出版社，第一版，2011。

3.面试的主要内容。

(1)从事科研的基础和能力；

(2)综合分析和语言表达能力；

(3)外语听说；

(4)大学学习和学业成绩；

(5)专业课以外的其他知识和技能的掌握情况；

(6)特长和兴趣；

(7)身心健康。